SISS70DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors
78-SISS70DN-T1-GE3
SISS70DN-T1-GE3

制造商：

说明：
MOSFET 125V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

数据表:
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产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK1212-8
N-Channel
1 Channel
125 V
31 A
29.8 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
15.3 nC
- 55 C
+ 150 C
65.8 W
Enhancement
TrenchFET, ThunderFET, PowerPAK
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 10 ns
正向跨导 - 最小值: 16 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 9 ns
系列: SISS
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 30 ns
典型接通延迟时间: 20 ns
单位重量: 1 g
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

SISS7xDN TrenchFET MOSFET

Vishay SISS7xDN-T1-GE3 TrenchFET MOSFET是采用ThunderFET技术的TrenchFET® MOSFET，实现了RDS、QG、QSW和QOSS的完美平衡。这些MOSFET通过了100%的Rg和无钳位电感开关 (UIS) 测试。SISS7xDN TrenchFET MOSFET适用于一次侧开关、同步整流、直流/直流转换器、电机驱动控制及负载开关等应用。这些MOSFET采用PowerPAK 1212-8S封装。

库存量: 5,726

库存：
5,726 可立即发货
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥16.7918 ¥16.79
¥8.0682 ¥80.68
¥7.2207 ¥722.07
¥5.7291 ¥2,864.55
¥5.5822 ¥5,582.20
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥4.7008 ¥14,102.40
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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