STGYA120M65DF2

STMicroelectronics
511-STGYA120M65DF2
STGYA120M65DF2

制造商：

说明：
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss
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数量 单价
总价
¥76.1846 ¥76.18
¥44.6689 ¥446.69
¥38.2957 ¥3,829.57
¥38.2166 ¥22,929.96
25,200 报价

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
Max247-3
Through Hole
Single
650 V
1.65 V
- 20 V, 20 V
160 A
625 W
- 55 C
+ 175 C
STGYA120M65DF2
Tube
商标: STMicroelectronics
集电极最大连续电流 Ic: 160 A
栅极—射极漏泄电流: +/- 250 uA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 600
子类别: IGBTs
单位重量: 4.430 g
找到的产品:
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要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

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