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SUP90220E-GE3

Name: Vishay SUP90220E-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SUP90220E-GE3
Price: 27.08 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

78-SUP90220E-GE3

制造商编号：

SUP90220E-GE3

制造商：

Vishay / Siliconix

说明：

MOSFET 200V Vds 20V Vgs TO-220AB

数据表:

SUP90220E-GE3 数据表

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	200 V
Id-连续漏极电流:	64 A
Rds On-漏源导通电阻:	18 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
Qg-栅极电荷:	48 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	230 W
通道模式:	Enhancement
商标:	Vishay / Siliconix
配置:	Single
下降时间:	38 ns
正向跨导 - 最小值:	37 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	35 ns
工厂包装数量:	500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	28 ns
典型接通延迟时间:	15 ns
单位重量:	2 g

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已选择的属性: 0

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数据表

SUP90220E-GE3 数据表

Models

Technical Resources

TO-220AB

REACH Certificate (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国台湾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

ThunderFET® Power MOSFETs

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