TK080A60Z1,S4X

Name: Toshiba TK080A60Z1,S4X
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK080A60Z1S4X
Price: 49.19 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

757-TK080A60Z1S4X

制造商编号：

TK080A60Z1,S4X

制造商：

Toshiba

说明：

MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ

寿命周期:

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数据表:

TK080A60Z1,S4X 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Toshiba
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220SIS-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	600 V
Id-连续漏极电流:	30 A
Rds On-漏源导通电阻:	80 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	43 nC
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	45 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Tube
商标:	Toshiba
配置:	Single
下降时间:	5 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	35 ns
工厂包装数量:	50
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	93 ns
典型接通延迟时间:	60 ns

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数据表

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Application Notes

Models

Product Catalogs

Selection Guide 2025 - MOSFETs

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

TKx硅N沟道MOSFET

Toshiba TKx硅N沟道MOSFET有U-MOSX-H和DTMOSVI类型可供选择，具有卓越的性能特性。这些MOSFET的设计具有快速反向恢复时间，通过减少关断和导通状态之间的延迟，从而可提高高速开关应用的效率。低漏极-源极导通电阻[R_DS(on)]有助于将功率损耗降至最低，并可改善热管理，使其成为处理大电流并具有低能量耗散应用的理想选择。