TK080U60Z1,RQ

Name: Toshiba TK080U60Z1,RQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK080U60Z1RQ
Price: 37.04 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

757-TK080U60Z1RQ

制造商编号：

TK080U60Z1,RQ

制造商：

Toshiba

说明：

MOSFET 600V Silicon N-Channel MOS (DTMOS) MOSFET

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

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	¥27.798	¥277.98
	¥19.8541	¥1,985.41
	¥18.8597	¥9,429.85
整卷卷轴（请按2000的倍数订购）
	¥15.3906	¥30,781.20

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Toshiba
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TOLL-9
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	600 V
Id-连续漏极电流:	30 A
Rds On-漏源导通电阻:	80 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	43 nC
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	211 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Toshiba
配置:	Single
下降时间:	4 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	20 ns
工厂包装数量:	2000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	93 ns
典型接通延迟时间:	50 ns

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已选择的属性: 0

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数据表

TK080U60Z1,RQ 数据表 (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TKx硅N沟道MOSFET

Toshiba TKx硅N沟道MOSFET有U-MOSX-H和DTMOSVI类型可供选择，具有卓越的性能特性。这些MOSFET的设计具有快速反向恢复时间，通过减少关断和导通状态之间的延迟，从而可提高高速开关应用的效率。低漏极-源极导通电阻[R_DS(on)]有助于将功率损耗降至最低，并可改善热管理，使其成为处理大电流并具有低能量耗散应用的理想选择。