TK16J60W,S1VE

Name: Toshiba TK16J60W,S1VE
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK16J60WS1VE
Price: 43.99 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

757-TK16J60WS1VE

制造商编号：

TK16J60W,S1VE

制造商：

Toshiba

说明：

MOSFET TO-3PN PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS

数据表:

TK16J60W,S1VE 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Toshiba
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-3PN-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	600 V
Id-连续漏极电流:	15.8 A
Rds On-漏源导通电阻:	190 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.7 V
Qg-栅极电荷:	38 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	130 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	DTMOSIV
封装:	Tray
商标:	Toshiba
配置:	Single
下降时间:	5 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	25 ns
工厂包装数量:	25
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	100 ns
典型接通延迟时间:	50 ns
单位重量:	4.600 g

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数据表

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Test/Quality Data

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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TK16x60W Si N沟道MOSFET (DTMOSIV)

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