TK16J60W5,S1VQ

Name: Toshiba TK16J60W5,S1VQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK16J60W5S1VQ
Price: 46.99 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

757-TK16J60W5S1VQ

制造商编号：

TK16J60W5,S1VQ

制造商：

Toshiba

说明：

MOSFET TO-3PN(OS) PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS

数据表:

TK16J60W5,S1VQ 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Toshiba
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-3PN-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	600 V
Id-连续漏极电流:	15.8 A
Rds On-漏源导通电阻:	230 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.5 V
Qg-栅极电荷:	43 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	130 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	DTMOSIV
封装:	Tube
商标:	Toshiba
配置:	Single
下降时间:	5 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	40 ns
工厂包装数量:	25
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	100 ns
典型接通延迟时间:	75 ns
单位重量:	4.600 g

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数据表

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Application Notes

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 日本
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in R_DS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the R_DS(on) makes it possible to house lower R_DS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.

TK16x60W Si N沟道MOSFET (DTMOSIV)

Toshiba TK16x60W Si N沟道MOSFET (DTMOSIV) 采用DTMOSIV代芯片设计，有各种型号可供选择。Si N沟道MOSFET具有低漏源导通电阻和快速反向恢复能力。这些MOSFET可轻松控制栅极开关。TK16x60W MOSFET有各种尺寸可选，采用DFN8x8、TO-247、TO-3P(N)、D2PAK、TO-220和TO-220SIS不同封装。这些 TK16x60W Si N沟道MOSFET用于开关稳压器。