TK380A65Y,S4X

Name: Toshiba TK380A65Y,S4X
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK380A65YS4X
Price: 23.06 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

757-TK380A65YS4X

制造商编号：

TK380A65Y,S4X

制造商：

Toshiba

说明：

MOSFET TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS

数据表:

TK380A65Y,S4X 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Toshiba
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	9.7 A
Rds On-漏源导通电阻:	380 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	20 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	30 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	DTMOSV
封装:	Tube
商标:	Toshiba
配置:	Single
下降时间:	8.2 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	23 ns
工厂包装数量:	50
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	150 ns
典型接通延迟时间:	60 ns
单位重量:	2 g

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数据表

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Application Notes

Models

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Test/Quality Data

Reliability Tests Report

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

DTMOSV Super Junction MOSFETs

Toshiba DTMOSV Super Junction MOSFETs are N-channel, deep trench semiconductor technology for high-efficient power MOSFETs. The DTMOSV operates with lower EMI noise, and a 17% reduction On-Resistance R_DS(ON) compared to the DTMOSIV MOSFETs. The DTMOSV has a deep trench etching process, that results in a narrowing of cell pitch, and a lowering of R_DS(ON) when compared with more conventional planar processes. DTMOSV Super Junction MOSFETs are ideal to improve performance and facilitate the design of power conversion applications. Applications include switching power supplies, power factor correction (PFC) designs, and LED lighting.