TK4K1A60F,S4X

Name: Toshiba TK4K1A60F,S4X
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK4K1A60FS4X
Price: 8.05 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

757-TK4K1A60FS4X

制造商编号：

TK4K1A60F,S4X

制造商：

Toshiba

说明：

MOSFET TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS

数据表:

TK4K1A60F,S4X 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Toshiba
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	600 V
Id-连续漏极电流:	2 A
Rds On-漏源导通电阻:	4.1 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	8 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	30 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	MOSIX
封装:	Tube
商标:	Toshiba
配置:	Single
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	14 ns
工厂包装数量:	50
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	45 ns
典型接通延迟时间:	30 ns
单位重量:	2 g

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数据表

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Application Notes

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

π-MOS IX Planar Power MOSFETs

Toshiba π-MOS IX Planar Power MOSFETs offer high-efficiency and low noise in a compact TO-220SIS package. π-MOS IX MOSFETs provide optimal performance due to the double-diffused process design adjustment. With an optimized chip design, the π-MOS IX components provide 5dB lower peak EMI noise than the previous π-MOS VII series, while maintaining the same efficiency level. These N-channel power MOSFETs offer high design flexibility, reducing workloads. In addition, the π-MOS IX series provides the same rated avalanche current and rated drain current (DC), making it simple to replace existing MOSFETs.