TPN4R203NC,L1Q

Toshiba
757-TPN4R203NCL1Q
TPN4R203NC,L1Q

制造商:

说明:
MOSFET U-MOSVIII-H 30V 53A 24nC MOSFET

ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

产品属性 属性值 选择属性
Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
53 A
35 mOhms
- 20 V, 20 V
2.3 V
24 nC
- 55 C
+ 150 C
22 W
Enhancement
U-MOSVIII
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Toshiba
配置: Single
下降时间: 14 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 5 ns
系列: TPN4R203NC
工厂包装数量: 5000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 52 ns
典型接通延迟时间: 13 ns
单位重量: 20 mg
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
马来西亚
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。

TPN4R203NC U-MOS VIII MOSFET

Toshiba TPN4R203NC U-MOS VIII MOSFET is an N-channel device in a small, thin package. It features a low drain-source on-resistance of 3.5mΩ (typ.) at 10V and low leakage current of 10µA (max) at 30V. Toshiba TPN4R203NC U-MOS VIII MOSFET is ideally suited for use in Li-ion secondary batteries and power management switches.

U-MOSVIII MOSFETs

Toshiba U-MOSVIII MOSFETs combine low on-resistance and a low leakage current in a thin 3.3mm x 3.3mm x 0.9mm TSON Advance package. U-MOSVIII current ratings range from 43A to 100A, RDS(ON) (typical) from 3.5mΩ to 5.2mΩ, with an input capacitance from 1370pF to 2230pF (typical).

供货情况

库存:
无库存
生产周期:
24 周 预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴(请按5000的倍数订购)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™
¥10.2604 ¥10.26
¥6.3054 ¥63.05
¥4.1471 ¥414.71
¥3.2544 ¥1,627.20
¥2.8589 ¥2,858.90
¥2.5199 ¥6,299.75
整卷卷轴(请按5000的倍数订购)
¥2.2487 ¥11,243.50
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。