VS-4C12ET07THM3

Vishay Semiconductors
78-VS-4C12ET07THM3
VS-4C12ET07THM3

制造商：

说明：
碳化硅肖特基二极管 SicG4TO-2202L

寿命周期:
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产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: 碳化硅肖特基二极管
RoHS:  
Through Hole
TO-220AC-2
Single
12 A
650 V
1.3 V
72 A
84 uA
-55 C
+ 175 C
650 V
VS-4C12ET07THM3
Tube
商标: Vishay Semiconductors
Pd-功率耗散: 91 W
产品类型: SiC Schottky Diodes
工厂包装数量: 1000
子类别: Diodes & Rectifiers
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已选择的属性: 0

数据表

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合规代码
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

SiC肖特基功率二极管

Vishay Semiconductors SiC肖特基功率二极管是先进的高性能整流器，旨在为要求苛刻的电力电子设备应用提供卓越的效率、坚固性和可靠性。这些Vishay二极管基于宽带隙SiC技术，具有几乎零反向恢复电荷、极快的开关能力和温度不变性能，是下一代高频电源转换系统的理想选择。

库存量: 970

库存：
970 可立即发货
生产周期：
27 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥40.0359 ¥40.04
¥20.5999 ¥206.00
¥18.6902 ¥1,869.02
¥15.4697 ¥7,734.85
¥15.3906 ¥15,390.60
¥15.142 ¥30,284.00

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