VS-4C30ET07T-M3

Vishay Semiconductors
78-VS-4C30ET07T-M3
VS-4C30ET07T-M3

制造商：

说明：
碳化硅肖特基二极管 SicG4TO-2202L

寿命周期:
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产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: 碳化硅肖特基二极管
RoHS:  
Through Hole
TO-220AC-2
SIngle
30 A
650 V
1.33 V
180 A
125 uA
- 55 C
+ 175 C
VS-4C30ET07T-M3
Tube
商标: Vishay Semiconductors
Pd-功率耗散: 167 W
产品类型: SiC Schottky Diodes
工厂包装数量: 1000
子类别: Diodes & Rectifiers
Vr - 反向电压 : 650 V
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已选择的属性: 0

数据表

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合规代码
CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

SiC肖特基功率二极管

Vishay Semiconductors SiC肖特基功率二极管是先进的高性能整流器，旨在为要求苛刻的电力电子设备应用提供卓越的效率、坚固性和可靠性。这些Vishay二极管基于宽带隙SiC技术，具有几乎零反向恢复电荷、极快的开关能力和温度不变性能，是下一代高频电源转换系统的理想选择。

库存量: 940

库存：
940 可立即发货
生产周期：
12 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥59.9691 ¥59.97
¥39.2901 ¥392.90
¥28.9506 ¥2,895.06
¥26.1369 ¥13,068.45
¥22.9955 ¥22,995.50

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