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ZXMN2F30FHTA

Name: Diodes Incorporated ZXMN2F30FHTA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 522-ZXMN2F30FHTA
Price: 7.69 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

522-ZXMN2F30FHTA

制造商编号：

ZXMN2F30FHTA

制造商：

Diodes Incorporated

说明：

MOSFET 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET

数据表:

ZXMN2F30FHTA 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Diodes Incorporated
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SOT-23-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	20 V
Id-连续漏极电流:	4.9 A
Rds On-漏源导通电阻:	45 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	12 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	600 mV
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	1.4 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Diodes Incorporated
配置:	Single
下降时间:	5.6 ns
正向跨导 - 最小值:	8.6 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	5.6 ns
系列:	ZXMN2F30
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	19.4 ns
典型接通延迟时间:	2.9 ns
单位重量:	8 mg

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数据表

ZXMN2F30FHTA 数据表 (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

ZXMN2x & ZXMN3x MOSFETs

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ZXMN Enhancement Mode MOSFETs

The Diodes Inc. ZXMN Enhancement Mode MOSFETs are N-channel enhancement mode MOSFETs featuring low on-resistance, fast switching, and high avalanche withstand capability. The Diodes Inc. ZXMN MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications, including SLIC line drivers for VoIP applications, transformer driving switch, motor control, uninterrupted power supply, and more.

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Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

特色产品

DIODES INCORPORATED

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20V N沟道MOSFET专为最小化导通电阻R_DS(ON)）而设计，采用X2-DFN0806-3封装。

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在途量:: 58,539

预期 2026/10/21

156,000

60,000

预期 2027/5/21

96,000

预期 2027/7/28
生产周期：: 32

周大于所示数量的预计工厂生产时间。

本产品所报告的交付时间长。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1 最多： 6000

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥8.6897	¥8.69
	¥5.3223	¥53.22
	¥3.6838	¥368.38
	¥2.7346	¥1,367.30
	¥2.6103	¥2,610.30
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥1.5255	¥4,576.50

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

ZXMN2F30FHTA

制造商： Diodes Incorporated

说明： MOSFET 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET

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