带扩展FBSOA的线性功率MOSFET

IXYS带扩展FBSOA的线性功率MOSFET是专为线性工作而设计的N沟道增强型功率MOSFET,采用国际标准封装。IXYS带扩展FBSOA的线性功率MOSFET采用带氮化铝隔离层的miniBLOC结构,具备高功率密度,同时提供紧凑、易安装的封装,并配备符合UL94 V-0阻燃标准的环氧树脂外壳。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
IXYS MOSFET 30 Amps 600V 305库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 240 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 335 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS MOSFET 40 Amps 500V
300预期 2026/12/2
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 500 V 40 A 170 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 320 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 30A 930工厂有库存
最低: 300
倍数: 30

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 500 V 30 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 240 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS MOSFET 30 Amps 500V 无库存
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 500 V 30 A 200 mOhms Tube
IXYS MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 60A 无库存交货期 21 周
最低: 300
倍数: 30

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 200 V 60 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 255 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement Tube