TSM600NA25CIT C0G

Name: Taiwan Semiconductor TSM600NA25CIT C0G
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM600NA25CITC0G
Price: 41.8 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

821-TSM600NA25CITC0G

制造商编号：

TSM600NA25CIT C0G

制造商：

Taiwan Semiconductor

说明：

MOSFET 250V, 22A, Single, N-Channel Low Voltage MOSFET

数据表:

TSM600NA25CIT C0G 数据表

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解Taiwan Semiconductor TSM600NA25CIT C0G详情

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Taiwan Semiconductor
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	ITO-220TL-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	250 V
Id-连续漏极电流:	22 A
Rds On-漏源导通电阻:	60 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.2 V
Qg-栅极电荷:	71 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	78 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
封装:	Tube
商标:	Taiwan Semiconductor
配置:	Single
下降时间:	25 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	16 ns
工厂包装数量:	2000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	78 ns
典型接通延迟时间:	16 ns
零件号别名:	TSM600NA25CIT
单位重量:	1.584 g

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国台湾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

TSM600NA25CIT N-Channel Power MOSFET

Taiwan Semiconductor TSM600NA25CIT N-Channel Power MOSFET is a 250V low-voltage and single configuration MOSFET built with Trench technology. This MOSFET features a 22A continuous drain current, 60mΩ drain-source resistance, 78W power dissipation, and 71nC gate charge. The TSM600NA25CIT MOSFET offers 22pF reverse transfer capacitance and is Pb-free, halogen-free, and RoHS compliant. This power MOSFET is ideally used in Uninterruptible Power Supply (UPS), AC-DC power supply, and lighting applications.