结果: 2
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
配置
Vds-漏源极击穿电压
Vgs-栅源极击穿电压
闸/源截止电压
Vgs=0时的漏-源电流
Id-连续漏极电流
Pd-功率耗散
系列
封装
InterFET JFET JFET N-Channel (Dual) -20V Low Noise
数据表
165库存量
173预期 2026/6/22
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-78-8 N-Channel Dual 10 V - 20 V - 3 V 30 mA 500 pA 300 mW IF360 Bulk
InterFET JFET JFET N-Channel -20V Low Noise
数据表
32库存量
150预期 2026/5/21
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-39-3 N-Channel Single 10 V - 20 V - 2 V 30 mA 500 pA 300 mW IF360 Bulk