RH7G03BBJFRATCB

ROHM Semiconductor
755-RH7G03BBJFRATCB
RH7G03BBJFRATCB

制造商：

说明：
MOSFET Pch -40V -22A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive : RH7G03BBJFRA is an automotive grade MOSFET that is AEC-Q101 qualified. Ideal for ADAS and Info. and Lighting and Body.

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产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
AEFC-Q101
Reel
Cut Tape
商标: ROHM Semiconductor
产品类型: MOSFETs
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
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已选择的属性: 0

数据表

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合规代码
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
日本
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

RH7G03BBJFRA P沟道功率MOSFET

ROHM Semiconductor RH7G03BBJFRA P沟道功率MOSFET的漏源电压 (VDSS)额定值为-40V，漏极连续电流 (ID)额定值(VGS = -10V)为±22A。这款MOSFET为汽车级产品，并通过了AEC-Q101认证。该器件采用带有可湿性侧翼的DFN3333T8LSAB封装，并已100%通过雪崩测试。ROHM Semiconductor RH7G03BBJFRA的耗散功率（PD）为33W，静态漏极-源极导通电阻（RDS(on)）为38mΩ（典型值）（VGS=-10V，ID=-20A）或49mΩ（典型值）（VGS=-4.5V，ID=-10A）。

库存量: 2,100

库存：
2,100 可立即发货
生产周期：
28 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥14.803 ¥14.80
¥7.0173 ¥70.17
¥6.2715 ¥627.15
¥4.9381 ¥2,469.05
¥4.7347 ¥4,734.70
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥4.1697 ¥12,509.10
¥4.1358 ¥24,814.80
¥3.9098 ¥35,188.20

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