DXTP80x PNP双极晶体管

Diodes Incorporated DXTP80x PNP双极晶体管采用小尺寸、热效率高的PowerDI® 3333-8封装,可实现更高密度的最终产品。这些器件提供>-30V、-60V或-100V的集电极-发射极电压和>-8V的发射极-基极电压。DXTP80x非常适合高温环境,其温度等级为+175°C。Diodes Incorporated的PNP双极晶体管非常适合电机、螺线管、继电器和致动器驱动器控制。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 配置 集电极—发射极最大电压 VCEO 集电极—基极电压 VCBO 发射极 - 基极电压 VEBO 集电极—射极饱和电压 Pd-功率耗散 增益带宽产品fT 最小工作温度 最大工作温度 资格 系列 封装
Diodes Incorporated 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K 3,785库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 PNP Single 30 V 40 V 8 V 130 mV 2.4 W 190 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K 1,588库存量
2,000预期 2026/4/29
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 PNP Single 60 V 70 V 8 V 290 mV 2.4 W 180 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K 1,592库存量
2,000预期 2026/5/8
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 PNP Single 100 V 110 V 8 V 180 mV 2.4 W 160 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTP Reel, Cut Tape