DXTP80x PNP双极晶体管

Diodes Incorporated DXTP80x PNP双极晶体管采用小尺寸、热效率高的PowerDI® 3333-8封装，从而使最终产品的密度更高。这些器件提供>-30V、-60V或-100V的集电极-发射极电压，以及>-8V的发射极-基极电压。DXTP80x非常适合高温环境，其温度等级为+175°C。Diodes Inc.的PNP双极晶体管非常适合电机、螺线管、继电器和致动器驱动器控制。

结果: 3
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—基极电压 VCBO
发射极 - 基极电压 VEBO
集电极—射极饱和电压
Pd-功率耗散
增益带宽产品fT
最小工作温度
最大工作温度
资格
系列
封装
Diodes Incorporated 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
数据表
645库存量
5,499预期 2027/4/9
最低： 1
倍数： 1
最大： 430
: 2,000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 PNP Single 30 V 40 V 8 V 130 mV 2.4 W 190 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
数据表
3,867库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 320
: 2,000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 PNP Single 60 V 70 V 8 V 290 mV 2.4 W 180 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
数据表
1,990库存量
2,000预期 2026/11/4
最低： 1
倍数： 1
最大： 320
: 2,000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 PNP Single 100 V 110 V 8 V 180 mV 2.4 W 160 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTP Reel, Cut Tape