结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 商标名 封装
Toshiba MOSFET UMOSVIII 40V 2.3m max(VGS=10V) DPAK
3,603库存量
剪切带
¥31.0185
¥15.6279
¥14.1476
¥11.5825
¥11.4921
卷轴
¥10.8367
最低: 1
倍数: 1
: 2,000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1.9 mOhms 20 V 2.5 V 76 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK
1,517库存量
剪切带
¥32.3406
¥16.3737
¥14.803
¥12.1588
卷轴
¥11.413
最低: 1
倍数: 1
: 2,000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 55 A 5.5 mOhms 20 V 4 V 49 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel