BUK6Q66-60PJ

Name: Nexperia BUK6Q66-60PJ
Brand: Nexperia
SKU: 771-BUK6Q66-60PJ
Price: 13.1 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

771-BUK6Q66-60PJ

制造商编号：

BUK6Q66-60PJ

制造商：

Nexperia

说明：

MOSFET BUK6Q66-60P/SOT8002/MLPAK33

寿命周期:

新产品:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Nexperia
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	MLPAK33-8
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	20 A
Rds On-漏源导通电阻:	66 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.7 V
Qg-栅极电荷:	19 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	56 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Nexperia
配置:	Single
下降时间:	172 ns
正向跨导 - 最小值:	12.7 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	5 ns
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 P-Channel
典型关闭延迟时间:	37 ns
典型接通延迟时间:	3 ns
零件号别名:	934670275118

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

BUK6Q66-60PJ MOSFET

Nexperia BUK6Q66-60PJ MOSFET 是一款搭载Trench MOSFET技术的60V车规级P沟道增强模式FET，采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装。该MOSFET与逻辑电平兼容，设有侧面可湿性侧翼，便于进行光学焊接检测。BUK6Q66-60PJ MOSFET在正常工作期间运用漏极-源极电压 (V_DS) 以负模式运行。该MOSFET采用小尺寸高效散热封装（3.3mm x 3.3mm占位面积）。BUK6Q66-60PJ MOSFET通过AEC-Q101认证，适用于汽车应用。该MOSFET非常适合用于反向极性保护、高速线路驱动器、高侧负载开关和继电器驱动器。