OptiMOS™ 6 60V功率MOSFET

英飞凌OptiMOS™ 6 60V功率MOSFET凭借强大的功率MOSFET技术提供卓越的性能。与OptiMOS 5相比，OptiMOS 60V功率MOSFET的RDS(on)降低37%以上，FOMQg x RDS(on)性能提升约25%。英飞凌OptiMOS 6 60V功率MOSFET在软开关拓扑和低频应用中可实现更高的系统效率与功率密度。

结果: 14
选择 图像 零件编号
 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
数据表
3,476库存量
最低： 1
倍数： 1
: 5,000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 378 A 800 uOhms 20 V 2.3 V 68 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
数据表
3,956库存量
最低： 1
倍数： 1
: 5,000

Si SMD/SMT PG-TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 149 A 2.3 mOhms 20 V 2.3 V 22 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
数据表
3,951库存量
最低： 1
倍数： 1
: 5,000

Si SMD/SMT PG-TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 57 A 7.2 mOhms 20 V 3.3 V 12.3 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
数据表
4,200库存量
最低： 1
倍数： 1
: 6,000

Si SMD/SMT PG-WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 60 V 178 mA 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 125 mW Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
数据表
4,190库存量
最低： 1
倍数： 1
: 6,000

Si SMD/SMT PG-TSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 178 mA 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 125 mW Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
数据表
2,495库存量
最低： 1
倍数： 1
: 5,000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 344 A 900 uOhms 20 V 3.3 V 97 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
数据表
3,951库存量
最低： 1
倍数： 1
: 5,000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 143 A 2.5 mOhms 20 V 2.3 V 22 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
数据表
3,465库存量
最低： 1
倍数： 1
: 5,000
Si SMD/SMT PG-TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 137 A 2.5 mOhms 20 V 3.3 V 32 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
数据表
3,457库存量
最低： 1
倍数： 1
: 5,000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 62 A 6 mOhms 20 V 3.3 V 12.4 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power -Transistor, 60 V
数据表
4,204库存量
最低： 1
倍数： 1
: 5,000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power -Transistor, 60 V
数据表
5,000预期 2026/10/22
最低： 1
倍数： 1
: 5,000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
数据表
5,000预期 2026/9/24
最低： 1
倍数： 1
: 5,000

Si SMD/SMT PG-TSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 178 mA 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 125 mW Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
数据表
5,000预期 2026/9/24
最低： 1
倍数： 1
: 5,000

Si SMD/SMT PG-TTFN-9 N-Channel 1 Channel 60 V 178 mA 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 125 mW Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
数据表
4,000预期 2027/2/11
最低： 1
倍数： 1
: 4,000

Si SMD/SMT PG-WSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 344 A 900 uOhms 20 V 3.3 V 121 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement Reel, Cut Tape