650V功率SiC合并PIN肖特基二极管

Vishay Semiconductors 650V功率SiC合并PIN肖特基二极管设计用于实现高性能,采用MPS结构,非常坚固耐用,可推进电流浪涌事件。这些二极管非常适用于高速硬开关和在宽温度范围内高效工作。VS-Cx肖特基二极管几乎没有恢复拖尾电流和开关损耗,开关行为不受温度影响。这些二极管提供不同额定电流供选择。典型应用包括FBPS和LLC转换器中的交流/直流功率因数校正(PFC)和直流/直流超高频输出整流。

半导体类型

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Vishay Semiconductors 碳化硅肖特基二极管 RECT 650V 20A RDL POWER SIC 672库存量
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Vishay Semiconductors 碳化硅肖特基二极管 RECT 650V 8A SM POWER SIC 1,600库存量
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: 800

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Vishay Semiconductors 碳化硅肖特基二极管 RECT 650V 8A RDL POWER SIC 1,325库存量
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Vishay Semiconductors 碳化硅肖特基二极管 RECT 650V 16A RDL POWER SIC 1,287库存量
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Vishay Semiconductors 碳化硅肖特基二极管 RECT 650V 12A SM POWER SIC 1,464库存量
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Vishay Semiconductors 碳化硅肖特基二极管 RECT 650V 20A SM POWER SIC 1,166库存量
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: 800

Vishay Semiconductors 碳化硅肖特基二极管 RECT 650V 16A SM POWER SIC 1,276库存量
最低: 1
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Vishay Semiconductors 碳化硅肖特基二极管 RECT 650V 20A RDL POWER SIC 789库存量
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Vishay Semiconductors 碳化硅肖特基二极管 RECT 650V 4A RDL POWER SIC 1,045库存量
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Vishay Semiconductors 碳化硅肖特基二极管 RECT 650V 6A RDL POWER SIC 984库存量
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Vishay Semiconductors PIN 二极管 Si CARBIDE DIODE 853库存量
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Vishay Semiconductors 碳化硅肖特基二极管 Si CARBIDE DIODE 626库存量
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Vishay Semiconductors 碳化硅肖特基二极管 RECT 650V 4A SM POWER SIC
8,800预期 2026/7/3
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Vishay Semiconductors 碳化硅肖特基二极管 Si CARBIDE DIODE 无库存
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Vishay Semiconductors 碳化硅肖特基二极管 Si CARBIDE DIODE 无库存
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Vishay Semiconductors 碳化硅肖特基二极管 Si CARBIDE DIODE 无库存
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Vishay Semiconductors PIN 二极管 Si CARBIDE DIODE 无库存
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