SIZ340BDT-T1-GE3

Vishay / Siliconix
78-SIZ340BDT-T1-GE3
SIZ340BDT-T1-GE3

制造商：

说明：
MOSFET PPAIR3X3 2NCH 30V 16.9A

数据表:
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产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAIR-3x3
N-Channel
2 Channel
30 V
36 A, 69.3 A
4.31 mOhms, 8.56 mOhms
- 16 V, 20 V
2.4 V
8.4 nC, 15.7 nC
- 55 C
+ 150 C
16.7 W, 31 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Vishay / Siliconix
下降时间: 5 ns, 7 ns
正向跨导 - 最小值: 30 S, 60 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 6 ns, 7 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: TrenchFET Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 18 ns, 22 ns
典型接通延迟时间: 8 ns, 12 ns
单位重量: 143.050 mg
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已选择的属性: 0

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合规代码
CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国台湾
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

SiZ340BDT双N沟道30V MOSFET

Vishay/Siliconix   SiZ340BDT双N沟道30V MOSFET采用双配置设计，具有TrenchFET ® Gen IV功率。该模块 具有30VDS漏极-源极电压，150A脉冲漏极电流以及-55°C至+150°C温服范围。Vishay/Siliconix SiZ340BDT双N沟道30V MOSFET不含卤素，符合RoHS指令。典型应用包括CPU内核电源、同步降压转换器、电信直流/直流和计算机。

库存量: 9,818

库存：
9,818 可立即发货
生产周期：
5 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1   最多： 6000
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥11.0062 ¥11.01
¥6.893 ¥68.93
¥4.5539 ¥455.39
¥3.5369 ¥1,768.45
¥3.2205 ¥3,220.50
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥3.0962 ¥9,288.60
¥2.7459 ¥16,475.40
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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