SIR680LDP-T1-RE3

Vishay Semiconductors
78-SIR680LDP-T1-RE3
SIR680LDP-T1-RE3

制造商：

说明：
MOSFET N-Ch 80-V (D-S)

数据表:
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产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
1 Channel
80 V
130 A
2.8 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
135 nC
- 55 C
+ 150 C
104 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
下降时间: 24 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 132 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
典型关闭延迟时间: 94 ns
典型接通延迟时间: 32 ns
单位重量: 750 mg
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已选择的属性: 0

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合规代码
CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

SIR680LDP-T1-RE3 N沟道MOSFET

Vishay SIR680LDP-T1-RE3 N沟道MOSFET是一款80V (D-S) TrenchFET® Gen IV功率MOSFET。该N沟道MOSFET具有非常低的RDS - Qg品质因数 (FOM)，并经过调谐以实现最低RDS - Qoss FOM。典型应用包括同步整流、一次侧开关、直流/直流转换器、太阳能微逆变器、电机驱动开关、电池、负载开关和工业。

TrenchFET第四代MOSFET

Vishay / Siliconix TrenchFET®第四代MOSFET是新一代TrenchFET®系列功率MOSFET，采用PowerPAK® SO-8和1212-8S封装，并具有业内超低的导通电阻和低栅极总电荷。TrenchFET第四代MOSFET具有超低RDS(on)特性，因此进一步降低了导通损耗以及功耗。TrenchFET MOSFET还采用了节省空间的PowerPAK® 1212-8 封装，能以三分之一的尺寸实现相近的效率。典型应用包括大功率DC/DC转换器、同步整流器、太阳能微型逆变器以及电机驱动开关。

库存量: 15,142

库存：
15,142 可立即发货
生产周期：
8 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1   最多： 6000
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥29.1201 ¥29.12
¥14.5544 ¥145.54
¥13.1532 ¥1,315.32
¥10.7576 ¥5,378.80
¥10.5881 ¥10,588.10
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥10.5881 ¥31,764.30
¥10.17 ¥61,020.00
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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