EP9 IGBT栅极驱动变压器

EPCOS/TDK  EP9 IGBT栅极驱动变压器是基于MnZn铁氧体磁芯的紧凑型器件,采用SMD L引脚结构。这些变压器具有出色的绝缘、极小的耦合电容和较高的热恢复能力。EP9 IGBT栅极驱动变压器支持半桥或推挽式拓扑。这些变压器具有2pF低耦合能力和 ≥5mm电气间隙(累积和芯体浮动)。EP9 IGBT栅极驱动变压器的工作频率范围为 100kHz至400kHz,温度范围为-40°C至150°C。 这些变压器 符合RoHS指令和AEC-Q200标准。EP9 IGBT栅极驱动变压器专门设计用于IGBT和FET栅极驱动器电路。典型应用包括隔离式DC-DC转换器、隔离式AC-DC转换器和栅极驱动器电路。

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EPCOS / TDK 电源变压器 Half Bridge, Turns Ratio 1 : 28 : 1.53, EP9 IGBT Gate Drive Transformer 248库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 250

Power Transformers SMD/SMT Single Primary Winding Dual Secondary Winding 11.45 mm 10.7 mm 10.55 mm EP9
EPCOS / TDK 电源变压器 Push Pull, Turns Ratio 1 : 2.9 : 1, EP9 IGBT Gate Drive Transformer 240库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 250

Power Transformers SMD/SMT Single Primary Winding Dual Secondary Winding 11.45 mm 10.7 mm 10.55 mm EP9