DMN3732UFB4-7

Diodes Incorporated
621-DMN3732UFB4-7
DMN3732UFB4-7

制造商：

说明：
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN1006-3 T&R 3K

数据表:
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产品属性 属性值 选择属性
Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
Si
SMD/SMT
X2-DFN1006-3
N-Channel
1 Channel
30 V
1.3 A
460 mOhms
- 8 V, 8 V
450 mV
900 pC
- 55 C
+ 150 C
1.12 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Diodes Incorporated
配置: Single
下降时间: 20 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 15.9 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
典型关闭延迟时间: 20.7 ns
典型接通延迟时间: 1.1 ns
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已选择的属性: 0

数据表

合规代码
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

DMN3732UFB4 N沟道增强模式MOSFET

Diodes Incorporated DMN3732UFB4 N沟道增强模式MOSFET设计用于最大限度地降低RDS(ON)，并保持出色的开关性能。该MOSFET具有低VGS(TH)和ESD保护栅极。DMN3732UFB4 MOSFET符合AEC-Q100/101/104/200标准，采用0.4mm超薄型封装。该MOSFET无铅，符合RoHS指令，工作温度范围为-55°C至150°C。典型应用包括负载开关、便携式应用和电源管理功能。

供货情况

库存：
无库存
生产周期：
44 周 预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥2.8928 ¥2.89
¥1.6611 ¥16.61
¥1.017 ¥101.70
¥0.72772 ¥363.86
¥0.63732 ¥637.32
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥0.45539 ¥1,366.17
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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