PSMB033N10NS2_R2_00201

Name: Panjit PSMB033N10NS2_R2_00201
Brand: Panjit
SKU: 241-PSMB033N10NS2R22
Price: 34.99 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

241-PSMB033N10NS2R22

制造商编号：

PSMB033N10NS2_R2_00201

制造商：

Panjit

说明：

MOSFET 100V/ 3.3mohms / TO-263AB for Industrail market

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

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最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按800的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥39.5387	¥39.54
	¥26.1369	¥261.37
	¥20.4304	¥2,043.04
	¥18.193	¥9,096.50
整卷卷轴（请按800的倍数订购）
	¥15.4697	¥12,375.76
	¥14.5544	¥34,930.56

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Panjit
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-263AB-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	219 A
Rds On-漏源导通电阻:	3.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.8 V
Qg-栅极电荷:	65 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	333 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Panjit
配置:	Single
下降时间:	4.9 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	4.9 ns
系列:	PSM
工厂包装数量:	800
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	24.7 ns
典型接通延迟时间:	15.5 ns
单位重量:	1.400 g

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已选择的属性: 0

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数据表

PSMB033N10NS2_R2_00201 数据表 (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

PSMB033N10NS2 100V N-Channel MOSFET

PANJIT PSMB033N10NS2 100V N-Channel MOSFET features a high switching speed and low reverse transfer capacitance. The PANJIT PSMB033N10NS2 is housed in a TO-263AB-L package. The device is ideal for battery management systems in industrial applications and is compliant with IEC 61249 and EU RoHS 2.0 standards, using a Green molding compound.

80V & 100V Shield Gate Trench N-Channel MOSFETs

PANJIT 80V and 100V Shield Gate Trench (SGT) N-Channel MOSFETs feature a low R_DS(ON) and a high switching speed. These devices offer low reverse transfer capacitance and utilize green molding compounds, as specified in the IEC 61249 standard. These PANJIT MV enhancement mode MOSFETs are lead-free and compliant with EU RoHS 2.0, and are 100% UIS/Rg tested. These devices are available in various low-profile packages that save space, including DFN3333S-8L, DFN5060-8L, DFN5060S-8L, TO-220AB-L, TO-252AA, TO-263, and TOLL. Typical applications include PD chargers, adapters, lighting, home appliances, and DC-DC converters.