DMN2992UFA-7B

Name: Diodes Incorporated DMN2992UFA-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMN2992UFA-7B
Price: 1.1 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

621-DMN2992UFA-7B

制造商编号：

DMN2992UFA-7B

制造商：

Diodes Incorporated

说明：

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN0806-3 T&R 10K

寿命周期:

新产品:

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数据表:

DMN2992UFA-7B 数据表 (PDF)

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单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按10000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥1.243	¥1.24
	¥0.82716	¥8.27
	¥0.52093	¥52.09
	¥0.33109	¥165.55
	¥0.28928	¥289.28
	¥0.25651	¥641.28
	¥0.2147	¥1,073.50
整卷卷轴（请按10000的倍数订购）
	¥0.18193	¥1,819.30
	¥0.16498	¥3,299.60

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Diodes Incorporated
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	X2-DFN0806-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	20 V
Id-连续漏极电流:	520 uA
Rds On-漏源导通电阻:	990 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 8 V, 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1 V
Qg-栅极电荷:	410 pC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	410 mW
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Diodes Incorporated
产品类型:	MOSFETs
工厂包装数量:	10000
子类别:	Transistors

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已选择的属性: 0

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数据表

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

DMN2992UFA 20V N沟道增强模式MOSFET

Diodes Incorporated DMN2992UFA 20V N沟道增强模式MOSFET专为最小化导通电阻（R_DS(ON)）而设计。该MOSFET具有卓越的开关性能，非常适用于高效电源管理应用。Diodes Inc. DMN2992UFA MOSFET采用X2-DFN0806-3薄型封装，高度仅为0.04mm。