UCC21756QDWRQ1

Texas Instruments
595-UCC21756QDWRQ1
UCC21756QDWRQ1

制造商:

说明:
电流隔离式栅极驱动器 Automotive ± 10-A  isolated

ECAD模型:
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库存量: 1,830

库存:
1,830 可立即发货
生产周期:
6 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴(请按2000的倍数订购)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™
¥63.4382 ¥63.44
¥49.0533 ¥490.53
¥45.4938 ¥1,137.35
¥41.5275 ¥4,152.75
¥39.6178 ¥9,904.45
¥38.5443 ¥19,272.15
¥37.5499 ¥37,549.90
整卷卷轴(请按2000的倍数订购)
¥36.725 ¥73,450.00
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。

产品属性 属性值 选择属性
Texas Instruments
产品种类: 电流隔离式栅极驱动器
RoHS:  
UCC21756
SMD/SMT
SOIC-16
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Texas Instruments
湿度敏感性: Yes
产品类型: Galvanically Isolated Gate Drivers
工厂包装数量: 2000
电源电压-最大: 5.5 V
电源电压-最小: 3 V
技术: SiC
类型: Single Channel Gate Driver
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已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

UCC21756-Q1隔离式单通道栅极驱动器

Texas Instruments UCC21756-Q1隔离式单通道栅极驱动器设计用于工作电压高达2121 V DC的SiC MOSFET和IGBT,具有先进的保护特性、同类最佳的动态性能和稳健性。UCC21756-Q1具有高达±10A的峰值拉电流和灌电流。通过SiO2 电容隔离技术将输入侧与输出侧相隔离,从而支持高达1.5kVRMS 的工作电压、12.8kVPK 浪涌抗扰度,隔离栅寿命超过40年,并提供较低的零件间偏移,以及> 150V/ns的共模抗噪度(CMTI)。