NTH4L018N075SC1

Name: onsemi NTH4L018N075SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L018N075SC1
Price: 175.75 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NTH4L018N075SC1

制造商编号：

NTH4L018N075SC1

制造商：

onsemi

说明：

碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 750V

数据表:

NTH4L018N075SC1 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-4
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	750 V
Id-连续漏极电流:	99 A
Rds On-漏源导通电阻:	18 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 8 V, + 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.3 V
Qg-栅极电荷:	262 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	500 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	EliteSiC
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	9.6 ns
封装:	Tube
产品:	SiC MOSFETS
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	24 ns
系列:	NTH4L018N075SC1
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
晶体管极性:	N-Channel
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	46 ns
典型接通延迟时间:	24 ns

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数据表

NTH4L018N075SC1 数据表 (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

NTH4L018N075SC1 N沟道SiC MOSFET

安森美 (onsemi) NTH4L018N075SC1 N沟道碳化硅 (SiC) MOSFET是一款低导通电阻、750V M2 EliteSiC MOSFET，采用紧凑型TO247-4L封装。该SiC MOSFET支持高速开关，具有低电容 (C_oss = 365pF)、体二极管零反向恢复电流以及开尔文源极配置。NTH4L018N075SC1 SiC MOSFET具有Q_G(tot) = 262nC的超低栅极电荷、-8V/+22V栅极-源极电压以及500W功耗。典型应用包括太阳能逆变器、EV充电站、储能系统、不间断电源 (UPS) 和开关模式电源 (SMPS)。