MCP2D6N10Y-BP

Name: Micro Commercial Components (MCC) MCP2D6N10Y-BP
Brand: Micro Commercial Components (MCC)
SKU: 833-MCP2D6N10Y-BP
Price: 36.89 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

833-MCP2D6N10Y-BP

制造商编号：

MCP2D6N10Y-BP

制造商：

Micro Commercial Components (MCC)

说明：

MOSFET N-CHANNEL MOSFET,TO-220AB(H)

数据表:

MCP2D6N10Y-BP 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Micro Commercial Components (MCC)
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220AB-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	240 A
Rds On-漏源导通电阻:	2.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.8 V
Qg-栅极电荷:	257 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	208 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Bulk
商标:	Micro Commercial Components (MCC)
配置:	Single
下降时间:	52 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	158 ns
工厂包装数量:	5000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	98 ns
典型接通延迟时间:	51 ns

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数据表

MCP2D6N10Y-BP 数据表 (PDF)

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

MCP2D6N10Y 100 V N沟道MOSFET

Micro Commercial Components (MCC) MCP2D6N10Y 100V N沟道MOSFET设计用于大功率开关。 MCC MCP2D6N10Y采用先进的分离栅极沟槽 (SGT) 技术和2.6mΩ的低导通电阻。该器件显著降低了导通损耗，同时提高了热效率。该MOSFET具有0.6K/W的超低结－外壳热阻，可提高要求苛刻的功率电子产品的效率。其TO-220封装提高了性能，具有高浪涌能力。MCP2D6N10Y具有强大的电流处理能力、出色的散热性能和最佳效率，因此非常适合用于大功率应用，如电池管理系统、电机驱动器和直流-直流转换器。