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SIHP065N60E-GE3

Name: Vishay SIHP065N60E-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIHP065N60E-GE3
Price: 56.22 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

78-SIHP065N60E-GE3

制造商编号：

SIHP065N60E-GE3

制造商：

Vishay / Siliconix

说明：

MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB

数据表:

SIHP065N60E-GE3 数据表

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	600 V
Id-连续漏极电流:	40 A
Rds On-漏源导通电阻:	57 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
Qg-栅极电荷:	98 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	250 W
通道模式:	Enhancement
商标:	Vishay / Siliconix
配置:	Single
下降时间:	13 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	46 ns
系列:	SIHP E
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	54 ns
典型接通延迟时间:	28 ns
零件号别名:	SIHP065N60E-BE3
单位重量:	2 g

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已选择的属性: 0

                        
The BE3 suffix version of this part number is the exact form, fit, and 
function of this part number.  The only difference is the country of 
origin. The BE3 suffix part number typically has a shorter lead-time 
if not already in stock at Mouser. 
Please contact a Mouser Technical Service Representative for 
further assistance 
5-0321-7

筛选文档:

数据表

SIHP065N60E-GE3 数据表

Models

PCN

Technical Resources

TO-220-1

REACH Certificate (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

SiHP065N60E 600V E系列功率MOSFET

Vishay Siliconix SiHP065N60E 600V E系列功率MOSFET采用Vishay最新的高能效E系列超级结技术。E系列功率MOSFET具有低栅极电荷时间导通电阻。SiHP065N60E具有超低导通电阻，与先前的600V E系列相比降低了30%，并将栅极电荷减少了44%，从而可实现更低的导通和开关损耗以节约能源。SiHP065N60E可为电信、企业和工业等电力应用提供高效率。与用于电力应用的同类最接近的MOSFET相比，品质因数 (FOM) 低 25%。Vishay Siliconix SiHP065N60E 600V E系列设计用于承受雪崩模式中的过压瞬变，保证极限值经过100%无钳位电感开关(UIS)测试。SiHP065N60E MOSFET采用符合RoHS指令的无卤素TO-220AB封装。

第四代E系列MOSFET

Vishay Semiconductors第四代E系列MOSFET是低品质因数 (FOM) MOSFET，采用E系列技术。第四代E系列MOSFET具有低有效电容，能够减少开关和导通损耗。这些MOSFET可耐受雪崩能量测试 (UIS)。第四代MOSFET采用TO-220AB、PowerPAK^® SO-8L、PowerPAK^® 8x8、DPAK (TO-252) 和薄引线TO-220 FULLPAK封装。典型应用包括服务器和电信电源、照明、工业、开关模式电源 (SMPS) 和功率因素校正 (PFC) 电源。