LMG2100R026VBNR

Name: Texas Instruments LMG2100R026VBNR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG2100R026VBNR
Price: 92.89 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

595-LMG2100R026VBNR

制造商编号：

LMG2100R026VBNR

制造商：

Texas Instruments

说明：

栅极驱动器 100V 2.6m? half-brid ge gallium nitride

寿命周期:

新产品:

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数据表:

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单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥104.9657	¥104.97
	¥83.959	¥839.59
	¥81.3939	¥2,034.85
	¥70.6363	¥7,063.63
	¥67.4949	¥16,873.73
	¥61.5398	¥30,769.90
	¥61.3703	¥61,370.30
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥50.9517	¥127,379.25

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Texas Instruments
产品种类:	栅极驱动器
RoHS:
产品:	Gate Drivers
类型:	Half-Bridge
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	VQFN-16
激励器数量:	1 Driver
输出端数量:	1 Output
输出电流:	8 A
电源电压-最小:	4.75 V
电源电压-最大:	5.25 V
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 125 C
系列:	LMG2100R026
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Texas Instruments
特点:	Low Power Consumption
输入电压 - 最大值:	5.25 V
输入电压 - 最小值:	4.75 V
湿度敏感性:	Yes
输出电压:	12 V
产品类型:	Gate Drivers
传播延迟—最大值:	55 ns
Rds On-漏源导通电阻:	3.5 mOhms
关闭:	No Shutdown
工厂包装数量:	2500
子类别:	PMIC - Power Management ICs
技术:	Si

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MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

LMG2100R026 GaN半桥功率级

Texas Instruments LMG2100R026 GaN半桥功率级集成栅极驱动器和增强模式氮化镓（GaN）FET。93V连续、100V脉冲、53A半桥功率级包括两个GaN FET，由半桥配置中的一个高频GaN FET驱动器驱动。驱动器和两个GaN FET安装在一个完全无引线键合的封装平台上，封装寄生元件最小化。