SIS890ADN-T1-GE3

Vishay / Siliconix
78-SIS890ADN-T1-GE3
SIS890ADN-T1-GE3

制造商：

说明：
MOSFET PWRPK 100V 24.7A N-CH MOSFET

数据表:
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整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

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数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥12.7351 ¥12.74
¥8.0343 ¥80.34
¥5.3336 ¥533.36
¥4.181 ¥2,090.50
¥3.8081 ¥3,808.10
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥3.3222 ¥9,966.60
¥3.1979 ¥19,187.40
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK-1212-8
N-Channel
1 Channel
100 V
24.7 A
25.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
19.2 nC
- 55 C
+ 150 C
39 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Vishay / Siliconix
下降时间: 4 ns
正向跨导 - 最小值: 45 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 6 ns
系列: SIS
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: TrenchFET Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 19 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
单位重量: 1 g
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已选择的属性: 0

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合规代码
CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

SiS890ADN N沟道100V MOSFET

Vishay/Siliconix SiS890ADN N沟道100V MOSFET具有100VDC漏极-源极电压、40A脉冲漏极电流以及单配置。SiS890ADN MOSFET具有低RDS x Qg品质因数 (FOM) 以及TrenchFET® GEn IV功率。该MOSFET100%通过Rg和UIS测试。Vishay SiS890ADN N沟道100V MOSFET非常适合用于同步整流、一次侧开关、直流/直流转换器和电路保护。

TrenchFET第四代MOSFET

Vishay / Siliconix TrenchFET®第四代MOSFET是新一代TrenchFET®系列功率MOSFET，采用PowerPAK® SO-8和1212-8S封装，并具有业内超低的导通电阻和低栅极总电荷。TrenchFET第四代MOSFET具有超低RDS(on)特性，因此进一步降低了导通损耗以及功耗。TrenchFET MOSFET还采用了节省空间的PowerPAK® 1212-8 封装，能以三分之一的尺寸实现相近的效率。典型应用包括大功率DC/DC转换器、同步整流器、太阳能微型逆变器以及电机驱动开关。

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