R8009KNXC7G

ROHM Semiconductor
755-R8009KNXC7G
R8009KNXC7G

制造商：

说明：
MOSFET TO220 800V 9A N-CH MOSFET

数据表:
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ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220FM-3
N-Channel
1 Channel
800 V
9 A
600 mOhms
20 V
4.5 V
27 nC
- 55 C
+ 150 C
59 W
Enhancement
Bulk
商标: ROHM Semiconductor
配置: Single
下降时间: 30 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 40 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
晶体管类型: Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 30 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
零件号别名: R8009KNX
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已选择的属性: 0

数据表

Specification Sheets

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合规代码
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

R8009KNX N通道800V 9A功率MOSFET

ROHM Semiconductor R8009KNX N沟道800V 9A功率MOSFET是一款低导通电阻可快速开关的器件。R8009KNX采用无铅电镀，符合RoHS指令。这些MOSFET可轻松实现并行使用。

库存量: 1,367

库存：
1,367 可立即发货
生产周期：
24 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥44.9966 ¥45.00
¥23.4136 ¥234.14
¥21.3457 ¥2,134.57
¥19.0292 ¥9,514.60
¥17.6167 ¥17,616.70

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