SIRA20DP-T1-RE3

Vishay Semiconductors
78-SIRA20DP-T1-RE3
SIRA20DP-T1-RE3

制造商：

说明：
MOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8

数据表:
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库存量: 2,543

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预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥17.5376 ¥17.54
¥11.2548 ¥112.55
¥7.5936 ¥759.36
¥6.0455 ¥3,022.75
¥5.6613 ¥5,661.30
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥4.9155 ¥14,746.50
¥4.7008 ¥28,204.80
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK-SO-8
N-Channel
1 Channel
25 V
100 A
580 uOhms
- 12 V, 16 V
1 V
200 nC
- 55 C
+ 150 C
104 W
Enhancement
TrenchFET, PowerPAK
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
产品类型: MOSFETs
系列: SIR
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
单位重量: 506.600 mg
找到的产品:
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

工业电源解决方案

Vishay提供业界最广泛的半导体和无源元件产品组合，适用于工业电源应用。Vishay工业电源用产品组合包括功率MOSFET、功率IC、整流器、二极管、电容器、电阻器和电感器。

TrenchFET第四代MOSFET

Vishay / Siliconix TrenchFET®第四代MOSFET是新一代TrenchFET®系列功率MOSFET，采用PowerPAK® SO-8和1212-8S封装，并具有业内超低的导通电阻和低栅极总电荷。TrenchFET第四代MOSFET具有超低RDS(on)特性，因此进一步降低了导通损耗以及功耗。TrenchFET MOSFET还采用了节省空间的PowerPAK® 1212-8 封装，能以三分之一的尺寸实现相近的效率。典型应用包括大功率DC/DC转换器、同步整流器、太阳能微型逆变器以及电机驱动开关。

SiRA20DP N 沟道 25V MOSFET

Vishay SiRA20DP N 沟道 25V MOSFET 具有降低开关相关功率损耗的优化后总栅极电荷 (Qg)、栅极-漏极电荷 (Qgd) 和 Qgd/栅极-源极电荷 (Qgs) 比。 SiRA20DP 是一款 TrenchFET® 第 4 代 器件，经 100% Rg 和 UIS 测试。 典型应用包括同步整流、高功率密度直流/直流、同步降压转换器、ORing、负载开关和电池管理。
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