HMC659 MMIC PHEMT功率放大器

Analog Devices Inc. HMC659LC5 MMIC功率放大器是砷化镓 (GaAs) 射频器件,设计用于表面贴装技术 (SMT) 封装。该放大器的工作频率范围为直流至15GHz,因此非常适合用于雷达和测试设备应用。该单片微波集成电路器件采用符合RoHS标准的无引线5mm x 5mm陶瓷SMT封装。该款假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 放大器提供19dB增益、+35dBm输出IP3和+27.5dBm输出功率(1dB增益压缩),功耗为300mA(采用+8V电源)。HMC659放大器的输入/输出内部匹配50Ω,方便集成到多芯片模块 (MCM) 中。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 工作频率 工作电源电压 工作电源电流 增益 NF—噪声系数 类型 安装风格 封装 / 箱体 技术 P1dB - 压缩点 OIP3 - 三阶截点 最小工作温度 最大工作温度 系列 封装
Analog Devices 射频放大器 pow amp SMT, DC - 15 GHz

0 Hz to 15 GHz 8 V 300 mA 19 dB 3 dB Power Amplifiers SMD/SMT LFCSP-32 GaAs 28 dBm 35 dBm - 40 C + 85 C HMC659G Cut Tape
Analog Devices 射频放大器 pow amp SMT, DC - 15 GHz

0 Hz to 15 GHz 8 V 300 mA 19 dB 3 dB Power Amplifiers SMD/SMT LFCSP-32 GaAs 28 dBm 35 dBm - 40 C + 85 C HMC659G Reel, Cut Tape, MouseReel
Analog Devices 射频放大器 pow amp SMT, DC - 15 GHz

SMD/SMT LFCSP-32 Si HMC659G Reel
Analog Devices HMC659-SX
Analog Devices 射频放大器 GaAs PHEMT MMIC pow amp, DC - 18 GHz

GaAs HMC659G Gel Pack