NTHL015N065SC1

Name: onsemi NTHL015N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTHL015N065SC1
Price: 221.5 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NTHL015N065SC1

制造商编号：

NTHL015N065SC1

制造商：

onsemi

说明：

碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V

数据表:

NTHL015N065SC1 数据表

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¥-.--

总价:

¥-.--

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数量	单价	总价
	¥250.295	¥250.30
	¥175.5229	¥1,755.23
	¥165.8501	¥16,585.01

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	163 A
Rds On-漏源导通电阻:	18 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 8 V, + 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.3 V
Qg-栅极电荷:	283 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	643 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	EliteSiC
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	11 ns
正向跨导 - 最小值:	44 S
封装:	Tube
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	77 ns
系列:	NTHL015N065SC1
工厂包装数量:	450
子类别:	Transistors
技术:	SiC
典型关闭延迟时间:	47 ns
典型接通延迟时间:	25 ns

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数据表

NTHL015N065SC1 数据表

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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