NTHL015N065SC1

Name: onsemi NTHL015N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTHL015N065SC1
Price: 204.3 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NTHL015N065SC1

制造商编号：

NTHL015N065SC1

制造商：

onsemi

说明：

碳化硅MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 12 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L

数据表:

NTHL015N065SC1 数据表

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¥-.--

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数量	单价	总价
	¥230.859	¥230.86
	¥165.8501	¥1,658.50

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	163 A
Rds On-漏源导通电阻:	18 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 8 V, + 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.3 V
Qg-栅极电荷:	283 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	643 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	EliteSiC
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	11 ns
正向跨导 - 最小值:	44 S
封装:	Tube
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	77 ns
系列:	NTHL015N065SC1
工厂包装数量:	450
子类别:	Transistors
技术:	SiC
典型关闭延迟时间:	47 ns
典型接通延迟时间:	25 ns

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数据表

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PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NTHL015N065SC1 12mΩ碳化硅MOSFET

安森美 (onsemi) NTHL015N065SC1 12mΩ碳化硅MOSFET 采用 TO-247-3L封装，运行速度快，坚固耐用。安森美 (onsemi) NTHL015N065SC1器件提供的电介质击穿场强度达10倍之高，电子饱和速度达2倍之高。这些MOSFET还具有3倍的能量带隙和3倍的导热性。所有安森美 (onsemi) 碳化硅MOSFET包括符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能的选项，专门设计用于汽车和工业应用并符合相应标准。

M2 EliteSiC MOSFET

安森美M2 EliteSiC MOSFET提供650VMHz、750VMHz和1200V电压选项。安森美M2 MOSFET有多种封装可供选择，包括D2PAK7、H-PSOF8L、TDFN4 8x8、TO-247-3LD和TO-247-4LD。MOSFET在设计和实施方面提供了灵活性。此外，M2 EliteSiC MOSFET具有+22V/-8V的最大栅极-源极电压、低R_DS(on) 和长短路耐受时间（SCWT）。