23LCV512/23LCV1024 串行 SRAM

Microchip 23LCV512和23LCV1024是512Kb和1Mb串行SRAM器件，可通过简单的SPI兼容串行总线访问。这些Microchip SRAM器件支持无限制的、对存储器阵列的读写，并支持通过连接到VBAT。 所需总线信号是一个时钟输入加独立数据输入和数据输出线路。对器件的访问通过一个芯片选择输入进行控制。此外，如果有应用需要更快数据速率，可支持SDI（串行双接口。）
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结果: 6
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 存储容量
组织
访问时间
最大时钟频率
接口类型
电源电压-最大
电源电压-最小
电源电流—最大值
最小工作温度
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装
Microchip Technology 静态随机存取存储器 512K 2.5V SPI SERIAL 静态随机存取存储器 Vbat
数据表
10,333库存量
最低： 1
倍数： 1

512 kbit 64 k x 8 25 ns 20 MHz SDI, SPI 5.5 V 2.5 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSSOP-8 Tube
Microchip Technology 静态随机存取存储器 1024K 2.5V SPI SERIAL 静态随机存取存储器 Vbat
数据表
1,928库存量
最低： 1
倍数： 1

1 Mbit 128 k x 8 25 ns 20 MHz SDI, SPI 5.5 V 2.5 V 10 mA - 40 C + 85 C Through Hole PDIP-8 Tube
Microchip Technology 静态随机存取存储器 1024K 2.5V SPI SERIAL 静态随机存取存储器 Vbat
数据表
1,169库存量
最低： 1
倍数： 1

1 Mbit 128 k x 8 25 ns 20 MHz SDI, SPI 5.5 V 2.5 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Tube
Microchip Technology 静态随机存取存储器 1024K 2.5V SPI SERIAL 静态随机存取存储器 Vbat
数据表
2,994库存量
最低： 1
倍数： 1

1 Mbit 128 k x 8 25 ns 20 MHz SDI, SPI 5.5 V 2.5 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSSOP-8 Tube
Microchip Technology 静态随机存取存储器 512K 2.5V SPI SERIAL 静态随机存取存储器 Vbat
数据表
980库存量
最低： 1
倍数： 1

512 kbit 64 k x 8 25 ns 20 MHz SDI, SPI 5.5 V 2.5 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Tube

Microchip Technology 静态随机存取存储器 512K 2.5V SPI SERIAL 静态随机存取存储器 Vbat
数据表
137库存量
最低： 1
倍数： 1

512 kbit 64 k x 8 25 ns 20 MHz SDI, SPI 5.5 V 2.5 V 10 mA - 40 C + 85 C Through Hole PDIP-8 Tube