SBRT15U50SP5-13D

Name: Diodes Incorporated SBRT15U50SP5-13D
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-SBRT15U50SP5-13D
Price: 5.71 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

621-SBRT15U50SP5-13D

制造商编号：

SBRT15U50SP5-13D

制造商：

Diodes Incorporated

说明：

肖特基二极管与整流器 15A TrenchSBR 50Vrrm 15A 0.47V 0.5mA

数据表:

SBRT15U50SP5-13D 数据表 (PDF)

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¥-.--

总价:

¥-.--

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封装:

整卷卷轴（请按5000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥6.4523	¥6.45
	¥5.0285	¥50.29
	¥4.7121	¥471.21
	¥3.7177	¥1,858.85
	¥3.164	¥3,164.00
	¥3.1188	¥7,797.00
整卷卷轴（请按5000的倍数订购）
	¥2.9606	¥14,803.00

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Diodes Incorporated
产品种类:	肖特基二极管与整流器
RoHS:
REACH - SVHC:
产品:	Schottky Rectifiers
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PowerDI5-3
配置:	Single Dual Anode
技术:	Si
If - 正向电流:	15 A
Vrrm - 重复反向电压:	50 V
Vf - 正向电压:	410 mV
Ifsm - 正向浪涌电流:	290 A
Ir - 反向电流 :	500 uA
最小工作温度:	- 65 C
最大工作温度:	+ 150 C
系列:	SBRT1
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Diodes Incorporated
产品类型:	Schottky Diodes & Rectifiers
工厂包装数量:	5000
子类别:	Diodes & Rectifiers
商标名:	PowerDI
Vr - 反向电压 :	50 V
单位重量:	96 mg

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数据表

SBRT15U50SP5-13D 数据表 (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

SBRT15U50SP5 Trench Super Barrier Rectifier

Diodes Inc. SBRT15U50SP5 trench super barrier rectifier is packaged in the compact thermally efficient POWERDI5 package and provides ultra-low forward voltage drop (V_F) and provides excellent low reverse leakage stability at high temperatures. It is ideal for use as a rectification, freewheeling, or polarity protection diode in applications such as DC/DC converters.

Schottky SBR® Super Barrier Rectifiers

Diodes Inc. Schottky SBR^® Super Barrier Rectifiers are Schottky rectifiers that utilize an MOS manufacturing process. This creates a superior two-terminal device that has a lower forward voltage (V_F) than comparable Schottky diodes. They possess the thermal stability and high-reliability characteristics of PN epitaxial diodes.