AFGHL40T65SQD和AFGHL50T65SQD IGBT

安森美 (onsemi) AFGHL40T65SQD和AFGHL50T65SQD IGBT是第四代高速场终止型IGBT，非常适合用于汽车应用。AFGHL40T65SQD和AFGHL50T65SQD IGBT为硬开关和软开关提供更高可靠性和最佳性能。安森美 (onsemi) AFGHL40T65SQD和AFGHL50T65SQD IGBT符合AEC Q101标准，具有超低开关和导通损耗。

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
资格
封装

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V40A FS4 IGBT TO-247LL
数据表
6,788库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 238 W - 55 C + 175 C AFGHL40T65SQD AEC-Q101 Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V50A FS4 IGBT TO-247LL
数据表
700库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V 20 V 80 A 268 W - 55 C + 175 C AFGHL50T65SQD AEC-Q101 Tube