IXBOD2击穿二极管模块

IXYS IXBOD2击穿二极管模块是高压保护器件,设计用在要求严格的电力电子应用中提供快速可靠的过压保护。IXBOD2击穿二极管具有极快的导通响应、低漏电流和极小的温度依赖性。该器件提供极低的关断状态电流,提供高达3000V/μs的dv/dt能力和高达200A的浪涌电流处理能力。这些特点使这些器件非常适合保护敏感电路免受瞬态电压事件、雷击、电弧条件和电池过压条件的影响。IXYS IXBOD2系列提供有从700V到4000V以上的各种击穿电压,为工业、能源和高压系统设计提供灵活的保护解决方案。

分离式半导体类型

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结果: 48
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IXYS 二极管模块 THYRISTOR 2KV 200MA BRKOVR 14库存量
¥930.6341
¥794.8194
¥759.9137
最低: 1
倍数: 1
Diode Modules Si Through Hole BOD-2
IXYS 二极管模块 THYRISTOR 1.5KV 200MA BRKOVR 4库存量
20预期 2026/11/23
¥937.674
¥892.5079
最低: 1
倍数: 1
Diode Modules Si Through Hole BOD-2
IXYS 晶闸管浪涌保护器件 - TSPD 1000V 1.4A RMS Breakover Diode FP Package
200预期 2027/7/12
¥196.6991
¥144.6739
¥126.1419
最低: 1
倍数: 1
TSPDs Through Hole BOD-2
IXYS 二极管模块 3200V 1.4A RMS Breakover Diode RD Package
20预期 2027/7/14
¥1,063.1492
¥868.2694
最低: 1
倍数: 1
Diode Modules Si Through Hole BOD-2
IXYS 二极管模块 3600V 1.4A RMS Breakover Diode RD Package
20预期 2027/8/2
¥1,063.1492
¥868.2694
最低: 1
倍数: 1
Diode Modules Si Through Hole BOD-2
IXYS 二极管模块 THYRISTOR 2.2KV 200MA BRKOVR
20预期 2027/2/1
¥965.2121
¥785.7229
最低: 1
倍数: 1
Diode Modules Si Through Hole BOD-2
IXYS 晶闸管浪涌保护器件 - TSPD 700V 1.4A RMS Breakover Diode FP Package
100预期 2027/1/4
¥196.6991
¥144.6739
¥126.1419
最低: 1
倍数: 1
TSPDs Through Hole BOD-2
IXYS 晶闸管浪涌保护器件 - TSPD 800V 1.4A RMS Breakover Diode FP Package
96预期 2027/1/27
¥196.6991
¥144.6739
¥126.1419
最低: 1
倍数: 1
TSPDs Through Hole BOD-2
IXYS 晶闸管浪涌保护器件 - TSPD 900V 1.4A RMS Breakover Diode FP Package
100预期 2026/11/23
¥196.6991
¥144.6739
¥126.1419
最低: 1
倍数: 1
TSPDs Through Hole BOD-2
IXYS 晶闸管浪涌保护器件 - TSPD 1100V 1.4A RMS Breakover Diode FP Package
100预期 2027/3/8
¥196.6991
¥144.6739
¥126.1419
最低: 1
倍数: 1
TSPDs Through Hole BOD-2
IXYS 晶闸管浪涌保护器件 - TSPD 1200V 1.4A RMS Breakover Diode FP Package
80预期 2026/11/23
¥196.6991
¥144.6739
¥126.1419
最低: 1
倍数: 1
TSPDs Through Hole BOD-2
IXYS 二极管模块 1500V 1.4A RMS Breakover Diode R Package
20预期 2027/2/1
¥700.8486
¥651.0608
最低: 1
倍数: 1
Diode Modules Si Through Hole BOD-2
IXYS 二极管模块 1700V 1.4A RMS Breakover Diode R Package
20预期 2027/7/14
¥676.2824
¥651.0608
最低: 1
倍数: 1
Diode Modules Si Through Hole BOD-2
IXYS 二极管模块 THYRISTOR 2.6KV 200MA BRKOVR
14预期 2027/6/21
¥1,023.6105
最低: 1
倍数: 1
Diode Modules Si Through Hole BOD-2
IXYS 二极管模块 THYRISTOR 1.2KV 200MA BRKOVR
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Diode Modules Si Through Hole BOD-2
IXYS 二极管模块 THYRISTOR 1.6KV 1.25A BRKOVR
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Diode Modules Si Through Hole BOD-2
IXYS 二极管模块 THYRISTOR 1.9KV 1.25A BRKOVR
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Diode Modules Si Through Hole BOD-2
IXYS 二极管模块 THYRISTOR 2.1KV 200MA BRKOVR
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Diode Modules Si Through Hole BOD-2
IXYS 二极管模块 THYRISTOR 2.8KV 200MA BRKOVR
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Diode Modules Si Through Hole BOD-2
IXYS 二极管模块 THYRISTOR 3.2KV 900MA BRKOVR
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Diode Modules Si Through Hole BOD-2
IXYS 二极管模块 THYRISTOR 4KV 700MA BRKOVR
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Diode Modules Si Through Hole BOD-2
IXYS 二极管模块 THYRISTOR 1.1KV 200MA BRKOVR
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Diode Modules Si Through Hole BOD-2
IXYS 二极管模块 THYRISTOR 1.2KV 1.25A BRKOVR
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Diode Modules Si Through Hole BOD-2
IXYS 二极管模块 THYRISTOR 1.4KV 1.25A BRKOVR
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Diode Modules Si Through Hole BOD-2
IXYS 二极管模块 CHYRISTOR 1.4KV 200MA BRKOVR
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Diode Modules Si Through Hole BOD-2