IXSA80N120L2-7TR

IXYS
747-IXSA80N120L2-7TR
IXSA80N120L2-7TR

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L

寿命周期:
新产品:
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数据表:
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库存量: 760

库存：
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生产周期：
27 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥99.2592 ¥99.26
¥80.8176 ¥808.18
¥63.28 ¥6,328.00
¥60.0482 ¥30,024.10
整卷卷轴（请按800的倍数订购）
¥58.0707 ¥46,456.56

产品属性 属性值 选择属性
IXYS
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
TO-263-7L
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
79 A
39 mOhms
- 5 V, + 20 V
4.5 V
135 nC
- 55 C
+ 175 C
395 W
Enhancement
商标: IXYS
配置: Single
下降时间: 13.6 ns
封装: Reel
封装: Cut Tape
产品: MOSFETs
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 24.6 ns
系列: IXSA80N120L2-7
工厂包装数量: 800
子类别: Transistors
技术: SiC
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: SiC MOSFET
典型关闭延迟时间: 28.6 ns
典型接通延迟时间: 15.4 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

IXSA80N120L2-7 SiC MOSFET

IXYS IXSA80N120L2-7碳化硅MOSFET是一款工业级单开关碳化硅MOSFET，具有功率循环特性和非常快的低损耗开关特性。该MOSFET具有低导通损耗、低栅极驱动功率要求以及较低的热管理工作，优化用于栅极控制。IXSA80N120L2-7 SiC MOSFET 用于高速工业开关模式电源。此款 SiC MOSFET非常适用于太阳能逆变器、开关模式电源、 UPS、电机驱动器、直流/直流转换器、电动汽车充电基础设施和感应加热。

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