RRS100P03HZGTB

Name: ROHM Semiconductor RRS100P03HZGTB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RRS100P03HZGTB
Price: 21.59 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

755-RRS100P03HZGTB

制造商编号：

RRS100P03HZGTB

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

MOSFET AECQ

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RRS100P03HZGTB 数据表

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SOP-8
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	30 V
Id-连续漏极电流:	10 A
Rds On-漏源导通电阻:	12.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	39 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	2 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	ROHM Semiconductor
配置:	Single
下降时间:	100 ns
正向跨导 - 最小值:	13 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	60 ns
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	Power MOSFET
典型关闭延迟时间:	150 ns
典型接通延迟时间:	25 ns
零件号别名:	RRS100P03HZG

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已选择的属性: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

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合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 泰国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

RRS100P03HZG P沟道-30V-10A功率MOSFET

ROHM Semiconductor RRS100P03HZG P沟道-30V-10A功率MOSFET是一款低导通电阻器件，采用小型表面贴装封装 (SOP8)。RRS100P03HZG采用无铅电镀，符合RoHS指令。这些MOSFET也不含卤素，采用Sn100%电镀，符合AEC-Q101标准。

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生产周期：: 16 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

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输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥24.3967	¥24.40
	¥15.7974	¥157.97
	¥10.9158	¥1,091.58
	¥8.7688	¥4,384.40
	¥8.3507	¥8,350.70
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥7.1868	¥17,967.00
	¥6.7574	¥33,787.00

RRS100P03HZGTB

制造商： ROHM Semiconductor

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