RBRxx30ANZ低VF肖特基势垒二极管

ROHM Semiconductor RBRxx30ANZ肖特基势垒二极管是共阴极双型二极管,采用TO-220FN封装。这些二极管采用硅外延平面型结构制造而成。RBRxx30ANZ势垒二极管具有低正向电压 (VF) 和高可靠性。这些ROHM Semiconductor肖特基势垒二极管的典型应用包括开关电源和一般整流。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 产品 安装风格 封装 / 箱体 配置 技术 If - 正向电流 Vrrm - 重复反向电压 Vf - 正向电压 Ifsm - 正向浪涌电流 Ir - 反向电流 最大工作温度 封装
ROHM Semiconductor 肖特基二极管与整流器 Schottky Barrier Diode Low VF, 30V, 20A, ITO-220AB 无库存交货期 12 周
最低: 1
倍数: 1

Schottky Diodes Through Hole TO-220FN-3 Dual Anode Common Cathode Si 20 A 30 V 550 mV 100 A 200 uA + 150 C Tube
ROHM Semiconductor 肖特基二极管与整流器 Schottky Barrier Diode Low VF, 30V, 30A, ITO-220AB 416库存量
最低: 1
倍数: 1

Schottky Diodes Through Hole TO-220FN-3 Dual Anode Common Cathode Si 30 A 30 V 550 mV 100 A 300 uA + 150 C Tube