UF3N170400B7S

Name: onsemi UF3N170400B7S
Brand: onsemi
SKU: 431-UF3N170400B7S
Price: 88.46 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

431-UF3N170400B7S

制造商编号：

UF3N170400B7S

制造商：

onsemi

说明：

JFET 1700V/400MOSICJFETG3TO263-7

数据表:

UF3N170400B7S 数据表

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生产周期：: 22

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单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按800的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥99.9598	¥99.96
	¥69.1334	¥691.33
	¥53.8445	¥5,384.45
整卷卷轴（请按800的倍数订购）
	¥53.8445	¥43,075.60

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	JFET
RoHS:
技术:	SiC
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	D2PAK-7
晶体管极性:	N-Channel
配置:	Single
Vds-漏源极击穿电压:	1.7 kV
Vgs-栅源极击穿电压 :	3 V, 20 V
Vgs=0时的漏-源电流:	2.2 uA
Id-连续漏极电流:	6.8 A
Rds On-漏源导通电阻:	400 mOhms
Pd-功率耗散:	68 W
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
系列:	UF3N
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	onsemi
湿度敏感性:	Yes
产品类型:	JFETs
工厂包装数量:	800
子类别:	Transistors
商标名:	SiC JFET
单位重量:	13.633 g

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PCN

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 美国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 美国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

UF3N170400B7S 1700V-400mW碳化硅常开型JFET

Qorvo UF3N170400B7S 1700V-400mW碳化硅常开JFET具有超低导通电阻（R_DS(ON)）和栅极电荷（Q_G），可实现低导通和开关损耗。该JFET在V_GS = 0V时具有低R_DS(ON) 值，非常适用于无需主动控制和共源共栅操作的电流保护电路。UF3N170400B7S 1700V-400mW SiC常开JFET具有低栅极电荷和低本征电容。此FET的工作温度范围为-55°C至+175°C，采用D²PAK-7L封装，符合RoHS指令，无卤素且无铅。典型应用包括过流保护电路、直流-交流逆变器、开关模式电源、功率因数校正模块、电机驱动器和感应加热。