DMWS120H100SM4

Name: Diodes Incorporated DMWS120H100SM4
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMWS120H100SM4
Price: 163.24 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

621-DMWS120H100SM4

制造商编号：

DMWS120H100SM4

制造商：

Diodes Incorporated

说明：

碳化硅MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS

数据表:

DMWS120H100SM4 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Diodes Incorporated
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-4
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	37.2 A
Rds On-漏源导通电阻:	100 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 8 V, + 19 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.5 V
Qg-栅极电荷:	52 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	208 W
通道模式:	Enhancement
商标:	Diodes Incorporated
下降时间:	5.03 ns
正向跨导 - 最小值:	3.8 S
封装:	Tube
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	20.67 ns
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
晶体管极性:	N-Channel
典型关闭延迟时间:	15.05 ns
典型接通延迟时间:	10.42 ns

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数据表

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合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

DMWS120H100SM4 1200V N沟道SiC功率MOSFET

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