结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 产品 配置 集电极—发射极最大电压 VCEO 集电极—射极饱和电压 在25 C的连续集电极电流 栅极—射极漏泄电流 封装 / 箱体 最小工作温度 最大工作温度 封装
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 600 A dual IGBT module 12库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 400 nA 152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 450 A dual IGBT module 无库存交货期 22 周
最低: 6
倍数: 6

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 450 A 400 nA 152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm - 40 C + 150 C Tray