PSMxN08NS1 N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT PSMxN08NS1 N-Channel Enhancement Mode MOSFETs utilize Trench technology to improve the product characteristics. These MOSFETs feature low drain-source on resistance and 80V drain-source voltage. The PSMxN08NS1 MOSFETs are 100% avalanche-tested, 100% Rg-tested, and lead-free in compliance with EU RoHS 2.0. These MOSFETs are ideal for use in Battery Management Systems (BMSs), Brushless Direct Current (BLDC) motors, SMPS, and telecommunications power systems.

结果: 4
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描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
Panjit MOSFET 80V 5.5mohm MV MOSFET
数据表
1,039库存量
剪切带
¥18.0348
¥13.4018
¥9.1869
¥7.7292
卷轴
¥6.2263
最低： 1
倍数： 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 108 A 5.5 mOhms 20 V 3.75 V 65.8 nC - 55 C + 150 C 113.6 W Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit MOSFET 80V 5.5mohm Tjmax 175C MV MOSFET
数据表
1,391库存量
¥16.3737
¥7.8422
¥6.9947
¥6.3845
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 111 A 5.5 mOhms 20 V 3.75 V 65.8 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Tube
Panjit MOSFET 80V 3.4mohm MV MOSFET
数据表
交货期 20 周
剪切带
¥22.826
¥11.413
¥9.6728
¥8.9383
卷轴
¥7.7179
查看
最低： 1
倍数： 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 161 A 3.4 mOhms 20 V 3.75 V 103.5 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit MOSFET 80V 3.4mohm Tjmax 175C MV MOSFET
数据表
无库存交货期 20 周
¥7.9439
¥7.2998
最低： 2,000
倍数： 50
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 166 A 3.4 mOhms 20 V 3.75 V 103.5 nC - 55 C + 175 C 156 W Enhancement Tube