R8002ANJ、R8005ANJ和R8008ANJ功率MOSFET
ROHM Semiconductor R8002ANJ、R8005ANJ和R8008ANJ功率MOSFET具有低导通电阻和快速开关特性。这些MOSFET适合用于开关应用。该器件具有低导通电阻、快开关速度,栅极-源极电压 (VGSS) 保证为±30V。
ROHM Semiconductor R8002ANJ、R8005ANJ和R8008ANJ功率MOSFET具有低导通电阻和快速开关特性。这些MOSFET适合用于开关应用。该器件具有低导通电阻、快开关速度,栅极-源极电压 (VGSS) 保证为±30V。